CMOS是什么？
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。
因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序。BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入BIOS设置程序，方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS设置。
扩展资料：
相对于其他逻辑系列，CMOS逻辑电路具有以下优点：
1、允许的电源电压范围宽，方便电源电路的设计
2、逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强
3、静态功耗低
4、隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多。
参考资料来源：百度百科-CMOS
PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别
PMOS,NMOS,CMOS,BIOS的主要区别在导通特性，开关管损失，驱动方面
1、导通特性
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
2.MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
3.MOS管驱动
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
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pmos与nmos的辨别
第一种方法就是可以根据电流的方向来判断，如下图说是，电流流出的为NMOS
下图为PMOS管，电流流入的为PMOS管
第二种方法是根据衬底PN结的方向，PN结指向内的为NMOS管，如下图所示
PN结指向外的为PMOS管，如下图所示
cmos晶体管的概念
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。
目前使用最最广泛的晶体管是CMOS晶体管，CMOS晶体管特点是什么？首先CMOS晶体管功耗和抗干扰能力优于同时期的TTL器件，而且速度和TTL器件相当，所以CMOS取代TTL是大势所趋，我们看到目前集成电路上的晶体管还有几乎所有PLD器件都是采用CMOS技术，这一点就说明了CMOS的大行其道。
如何更好理解Coms管和TTL管？？
基本的理解可以这样： 1：他们都是可控元件，就是用一个相对弱的信号来控制它们的导通和关断，达到控制更大些的能量，也就是通常说的有“放大”作用的元件。 2：Coms场效应管是电压控制元件，在它的控制端（这样描述不太科学，但好懂）就是栅极加上电压，几乎不需要电流，Coms场效应管就可以导通。 3：TTL晶体管是电流控制元件，在它的控制端（这样描述不太科学，但好懂）就是基极上接通微小电流，一定需要电流，TTL晶体管才可能导通。 4：相对来说；Coms场效应管工作速度要慢一些，但是功耗（耗电）更低。TTL晶体管工作速度要更快，但是其功耗更高。 5：基于上面的不同点，这两种元件都在使用。没有谁可以完全取晶体三极管和CMOS管的放大原理有什么区别？
1，两者有一个本质的差别，三极管是电流控制电流源。
CMOS是电压控制电流源，所以三极管是电流为控制，CMOS是电压。
2，三极管的结电容小，CMOS的大，所以三极管一般高频特性好。
3，三极管Vce饱和电压0.3V，而CMOS功率管RDS有几个毫欧
故而CMOS功率做的比较大，自身损耗功率小
关于晶体三极管
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管，晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
关于CMOS管
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）即互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料，由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。
采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。该技术通常用于生产RAM和交换应用系统，在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息的RAM芯片。现在，CMOS制造工艺也被广泛应用于制作数码影像器材的感光元件等方面。